Количество каналов 1
Тип выхода высокоскор.оптрон
Напряжение изоляции,кВ 0.63
Максимальный прямой ток,мА 25
Максимальное выходное напряжение, В 0
Время включения/выключения, мкс 0.5
Тип корпуса dip8
Структура n-канал+диод
Максимальное напряжение кэ ,В600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A80
Мощность макс.,Вт290
Температурный диапазон,С-55…+150
Корпус to-247
Структура n-канал+диод
Максимальное напряжение кэ ,В 1200
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 64
Мощность макс.,Вт 500
Температурный диапазон,С -55…+150
Корпус TO-264
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 30A
Current - Collector (Ic) (Max) 75A
Power - Max 463W...
Структура n-канал+диод
Максимальное напряжение кэ ,В600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A30
Напряжение насыщения при номинальном токе, В1.5
Управляющее напряжение,В4.9
Мощность макс.,Вт187
Крутизна...
Структура n-канал
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 55
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.65
Управляющее напряжение,В 6
Мощность макс.,Вт 200...
Type Designator: RJH60F5DPQ-A0
Type of IGBT channel: N-Channel
Maximum power dissipation (Pc) of IGBT transistor, W:
Maximum collector-emitter voltage |Uce|, V: 600V
Collector-emitter...
Type of IGBT channel: N-Channel
Maximum power dissipation (Pc) of IGBT transistor, W:
Maximum collector-emitter voltage |Uce|, V: 600V
Collector-emitter saturation voltage |Ucesat|, V: 1.35V...
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 440V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 4.5V, 10A
Current - Collector (Ic) (Max) 20A
Power - Max 125W
Тип входа Logic
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер)...
Максимальное напряжение кэ ,В 390
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 25
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.3
Управляющее напряжение,В 1.6
Мощность макс.,Вт 125
Температурный диапазон,С...
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40
Максимально допустимый ток к ( Iк...
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 160
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 150
Максимально допустимый ток к (...
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 180
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 160
Максимально допустимый ток к (...
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 230
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 230
Максимально допустимый ток к (...
Технические параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 140
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 140...